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頻率:10.000MHz~54.000MHz
尺寸:3.2*2.5*1.0mm
貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛
Vectron晶振,普通有源晶振,VT-822高質(zhì)量振蕩器.溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無(wú)線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.
Vectron國(guó)際公司是世界領(lǐng)先的頻率控制、傳感器和混合產(chǎn)品解決方案的設(shè)計(jì)、制造和營(yíng)銷的領(lǐng)導(dǎo)者,它采用了從直流到微波頻率的大量聲波(BAW)和表面聲波(SAW)的最新技術(shù).產(chǎn)品包括晶體和進(jìn)口高精度晶振;頻率翻譯;時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)產(chǎn)品;看到過(guò)濾器;用于電信、數(shù)據(jù)通信、頻率合成器、定時(shí)、導(dǎo)航、軍事、航空和儀表系統(tǒng)的水晶過(guò)濾器和組件.
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Vectron晶振 |
VT-822晶振 |
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輸出類型 |
CMOS |
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輸出負(fù)載 |
15pF |
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振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
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電源電壓 |
+2.5V、+3.3V |
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頻率范圍 |
10.00MHz~54.00MHz |
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頻率穩(wěn)定度 |
±2.5ppm |
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工作溫度 |
-40℃~+85℃
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保存溫度 |
-40℃~+125℃ |
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電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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啟動(dòng)時(shí)間 |
5 ms Max |
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相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫) |
1個(gè)PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |

熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的3225晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
進(jìn)口晶體振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
清洗
關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒(méi)有問(wèn)題,但這僅僅是對(duì)單個(gè)石英貼片晶振產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果,因此請(qǐng)根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn).
有關(guān)SMD產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述,請(qǐng)參照“表面貼裝型晶體產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述”.
由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請(qǐng)盡可能避免超聲波清洗.
若要進(jìn)行超聲波清洗,必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn).
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致高精度晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用普通有源進(jìn)口晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致有源晶體無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
晶振的軟焊溫度條件被設(shè)計(jì)成可以和普通電子零部件同時(shí)作業(yè),但如果是超過(guò)規(guī)格以上的高溫,則頻率有可能發(fā)生較大的變化,因此請(qǐng)避免不必要的高溫度.
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
美國(guó)Vectron晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
美國(guó)Vectron晶振將:通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
通過(guò)開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開.
Vectron晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.
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